Samsung представила новый тип энергоэффективной памяти

Разработка энергоэффективных электронных компонентов не так проста, как может показаться. Улучшить память NAND flash, снизив его энергопотребление на 5-10%, — это одно. И уже совсем другое — сделать такую память, которая в сравнении с аналогами потребляет аж на 96% меньше энергии. Тут уже попахивает революцией. Именно таких успехов смогли добиться инженеры Samsung.

Краткое содержание

• Разработка Samsung сильно снижает энергопотребление NAND;
• Новый тип памяти NAND flash потребляет на 96% меньше энергии;
• Технология уже описана в журнале Nature;
• Если дело дойдёт до серийного производства, будет «пушка».

Всё здорово, но пока только на бумаге

Прорывная технология подробно описана в журнале Nature. Публикацию подготовили 34 исследователя, а называется она «Ferroelectric Transistor for Low-Power NAND Flash Memory».

Один из недостатков памяти NAND flash — высокое энергопотребление. Чем плотнее структура NAND, тем оно выше при записи и чтении информации. Инженеры Samsung нашли выход, заменив транзисторы с плавающим затвором на сегнетоэлектрические транзисторы с каналом из оксидного полупроводника и диэлектриком из легированного цирконием оксида гафния. В результате энергетические потери стали незначительными даже при серьёзном увеличении последовательно соединённых ячеек памяти.

Также в статье упоминается, что новая память поддерживает многоуровневое хранение данных (до 5 бит на 1 ячейку), а ещё может хранить данные до десяти лет и более.

Когда это можно будет купить

Никаких сроков в статье не обозначено. Но, судя по всему, даже если Samsung решит поставить производство такой памяти на поток, до появления новинки в продаже остаётся как минимум несколько лет. Технология может себя проявить в самых разных устройствах: ноутбуках, смартфонах, носимой электронике и в IoT. Словом, везде, где память постоянно работает под нагрузкой.