
HBM4: до 2 ТБ/с памяти — новый порог для ИИ-ускорителей
Подберём сервер под задачи
Ответьте на несколько вопросов — подготовим предложение
На Hot Chips 2026 SK hynix, Samsung и Micron показали архитектуру памяти HBM4 для ИИ-ускорителей нового поколения. Пропускная способность вырастает вдвое, до 2 терабайт в секунду на стек, но одновременно растёт и плотность мощности. Для тех, кто планирует парк серверов под ИИ, это значит одно: жидкостное охлаждение перестаёт быть опцией.
Краткое содержание
- HBM4 удваивает пропускную способность относительно HBM3E — до 2 терабайт в секунду на стек;
- ёмкость стека — 48 ГБ, свыше 20 000 сквозных соединений и до 16 слоёв кристаллов;
- по данным Micron, мощность ускорителей растёт втрое за два года, а память — меньше чем вдвое;
- серийные ИИ-ускорители на HBM4 стоит ждать не раньше 2027 года.
Зачем ИИ-ускорителям больше памяти, а не только ядер
ИИ-ускорители последних поколений упираются не в число ядер, а в скорость подвоза данных. Micron на Hot Chips 2026 назвала цифры разрыва: вычислительная мощность ускорителей растёт примерно втрое за два года, а пропускная способность памяти HBM — меньше чем вдвое. С каждым поколением разрыв только увеличивается.
Есть и обратная сторона — цена ёмкости. По оценке Micron, для того же объёма памяти HBM3E нужно примерно втрое больше кремния, чем для DDR5: сказывается сложная упаковка кристаллов друг на друга. GPU с восемью модулями HBM4 занимает более 12 000 квадратных миллиметров корпуса, а при 12-слойных стеках площадь кремния памяти может в восемь раз превышать площадь самого процессора.
Что нового в HBM4: удвоение банков и упаковка на грани физики
HBM4 — не косметическое обновление, а пересборка архитектуры на уровне базового кристалла. Число банков в стеке выросло вдвое — до 256 против 128 у HBM3E. Число входов-выходов на кристалле выросло с тысячи до двух тысяч.
- ёмкость стека — 48 ГБ, свыше 20 000 сквозных соединений (TSV);
- корпус — 12,8×11 мм при высоте 775 микрон;
- 12-слойные стеки уже в серийном производстве, 16-слойные — на этапе квалификации;
- энергоэффективность выросла более чем на 40 процентов на бит по сравнению с HBM3E.
Для сборки таких стеков SK hynix переходит от термокомпрессии к гибридному склеиванию: кристаллы соединяются при комнатной температуре, а затем прогреваются свыше 200 градусов Цельсия, формируя прямой контакт кремния и меди. Так можно собирать стеки от 20 слоёв — но нужна новая прецизионная оснастка, которая есть не у всех фабрик.
Плотность мощности растёт быстрее, чем инженеры успевают охлаждать
Скорость даётся не бесплатно. Начиная с HBM4 базовый кристалл переходит на техпроцессы логики уровня 4 нм, и плотность мощности растёт вместе с этим — с 0,5 Вт на квадратный миллиметр у HBM4E до более чем 2 Вт у будущего HBM5, по данным Samsung. Для стойки это значит: греется не только сам ускоритель, но и память рядом, а воздух с такой плотностью уже не справляется.
SK hynix делает ставку на гибридное склеивание и термоизолирующий слой i-HBM. Samsung готовит переход к трёхмерной интеграции без интерпозера. У Micron — двухуровневая коррекция ошибок на случай возросшей плотности дефектов. Единого стандарта пока нет, а значит и сроки квалификации у производителей серверов будут разными.
Серийные ускорители на HBM4 стоит ждать не раньше 2027 года. А жидкостное охлаждение закладывать в проект стойки имеет смысл уже сейчас — плотность мощности будет расти независимо от того, чья память окажется в итоговой конфигурации.
Мнение DigitalRazor
HBM4 снимает главный тормоз последних поколений ИИ-ускорителей — нехватку пропускной способности памяти. Но плотность мощности растёт вместе с ней: воздушное охлаждение для новых стоек перестаёт быть универсальным решением. Закладывайте жидкостное охлаждение уже на стадии выбора площадки, а не после закупки серверов. При планировании парка под HBM4 стоит заложить запас по срокам поставки — ключевые узлы упаковки ещё проходят квалификацию у всех поставщиков одновременно.














