
Kioxia BiCS 10: 332 слоя 3D NAND для ИИ-хранилищ
Подберём сервер под задачи
Ответьте на несколько вопросов — подготовим предложение
Kioxia начала отгружать образцы памяти нового поколения — 3D NAND BiCS 10 на 332 слоя. На один кристалл теперь помещается терабит данных, интерфейс разогнан до 4,8 гигабита в секунду, а энергии на чтение уходит на треть меньше. Память нацелена на серверные SSD и ИИ-хранилища, где дорогие ускорители всё чаще ждут не вычислений, а данных.
Краткое содержание
- 332 слоя и кристалл на 1 терабит (TLC) — плотность записи бит выше на 59% против восьмого поколения;
- интерфейс 4,8 Гбит/с (плюс 33%), энергия на запись — минус 18%, на чтение — минус 30%;
- прицел — серверные и ЦОД SSD под ИИ, где важны объём, скорость и питание;
- образцы уже идут, серию разворачивают на новом заводе в Японии, а платформы PCIe 6.0 — это 2027 год.
Что нового в BiCS 10
Kioxia показала десятое поколение флеш-памяти BiCS. Ключевые цифры такие.
- 332 слоя против 218 у восьмого поколения — плотность записи бит выше на 59%;
- кристалл на 1 терабит в режиме TLC (три бита на ячейку) — «кирпич» для ёмких SSD;
- интерфейс 4,8 Гбит/с — на 33% быстрее прошлого поколения;
- энергия на запись — минус 18%, на чтение — минус 30%;
- ячейки набраны тремя стопками, а логика CMOS вынесена под массив (технология CBA) — так проще наращивать этажность без брака.
Зачем это серверным SSD и ИИ
Смысл новинки не в рекордной этажности ради красивой цифры. Для ИИ-инфраструктуры узкое место всё чаще не в вычислениях, а в подаче данных: дорогие ускорители простаивают, пока ждут очередную порцию из хранилища. Чем плотнее и быстрее NAND, тем больше данных влезает в один диск и тем быстрее они доезжают до GPU.
Плюс 59% плотности — это больше терабайт в том же формате E3.S или E1.S, то есть выше ёмкость стойки без роста числа дисков. Интерфейс 4,8 Гбит/с — задел под накопители PCIe 6.0, которые вдвое поднимут пропускную способность против нынешних Gen5. Экономия на питании ячеек заметна на больших all-flash-массивах, хотя рядом с ускорителями это не главная статья расхода.
Где подвох
Первое — сроки. Образцы уже отгружают, но серийный объём Kioxia разворачивает на новом заводе Fab2 в Японии, а весь свой выпуск NAND и SSD на 2026 год компания, по её же словам, уже законтрактовала. Свободных объёмов под новые проекты в ближайшие месяцы будет мало.
Второе — платформа. Полную скорость и интерфейс PCIe 6.0 раскроют только серверы на Xeon 7 Diamond Rapids и EPYC Venice, а это 2027 год. До тех пор BiCS 10 будет работать и на нынешних платформах, но без запаса по шине.
И ещё — конкуренция и доступность. Samsung уже возит 400-слойную память, SK Hynix — 321-слойную, так что рекорд плотности у Kioxia не абсолютный. А корпоративные SSD на новой NAND дойдут до нас через параллельный импорт и с задержкой к мировому старту.
Мнение DigitalRazor
Гнаться за первыми образцами BiCS 10 смысла нет: пока не вышли платформы PCIe 6.0, весь потенциал памяти не раскрыть. Но вектор ясен — ёмкие и экономичные NVMe становятся такой же частью ИИ-инфраструктуры, как сами ускорители. Под инференс и обучение мы подбираем узлы, где быстрые SSD не дают дорогим GPU простаивать, и поможем спланировать переход на Gen6, когда серийные диски и платформы будут в наличии.













